便攜式樣品傳送腔體 參考價：面議
便攜式樣品傳送腔體是一種專門設計用于在超高真空環(huán)境中傳送和處理樣品的設備。這種設備通常包括一個或多個關鍵組成部分，如連接真空計的接口、反射式光電陰極入射光導入口...
4/6英寸輻射式樣品臺系統(tǒng) 參考價：面議
4/6英寸輻射式樣品臺系統(tǒng)"可能指的是一種用于實驗或研究的設備或組件，特別是在材料科學、物理學、工程學或其他需要精確控制和分析樣品的環(huán)境中的設備。
插拔式加熱器沉積系統(tǒng) 參考價：面議
插拔式加熱器沉積系統(tǒng)是一種方便、實用的加熱設備，廣泛應用于各種工業(yè)和商業(yè)領域。這種加熱器通常具有緊湊的設計，可以方便地插入到電源插座中，提供快速、高效的加熱功能...
脈沖激光沉積樣品臺 參考價：面議
脈沖激光沉積樣品臺是一種物理氣相沉積技術，用于在襯底上生長高質量的薄膜。脈沖激光沉積系統(tǒng)中的樣品臺是一個關鍵組件，用于支撐和加熱待沉積的樣品。
脈沖激光沉積靶臺 參考價：面議
脈沖激光沉積靶臺的設計和應用對于脈沖激光沉積系統(tǒng)的性能和實驗結果具有重要影響。通過綜合考慮穩(wěn)定性、熱隔離、靈活性、靶材均勻性、冷卻機制以及靶材旋轉等因素，可以設...
脈沖激光沉積系統(tǒng)激光光路 參考價：面議
脈沖激光沉積系統(tǒng)激光光路是一個高度復雜和精密的系統(tǒng)，需要各個部分的緊密配合和精確控制，才能制備出高質量的薄膜。同時，隨著科技的發(fā)展，脈沖激光沉積技術也在不斷地進...
單腔體脈沖激光沉積系統(tǒng) 參考價：面議
單腔體脈沖激光沉積系統(tǒng)是一種先進的材料制備技術，它利用脈沖激光的高能量密度來蒸發(fā)和電離靶材上的物質，并在基底上沉積形成各種物質薄膜。這種系統(tǒng)通常包括一個沉積室，...
雙腔體脈沖激光沉積系統(tǒng) 參考價：面議
雙腔體脈沖激光沉積系統(tǒng)（Dual Chamber Pulsed Laser Deposition System）是一種先進的薄膜制備技術，它結合了脈沖激光沉積（...
電漿原子層沉積設備 參考價：面議
電漿原子層沉積設備是一種基于常規(guī)ALD的先進方法，其利用電漿作為裂化前驅物材料的條件，而不是僅依靠來自加熱基板的熱能。
原子層沉積設備 參考價：面議
原子層沉積設備為一種氣相化學沉積技術。大多數的ALD反應，將使用兩種化學物質稱為前驅物。這些前驅物以連續(xù)且自限的方式與材料表面進行反應。
原子層沉積系統(tǒng) 參考價：面議
原子層沉積系統(tǒng)是基于順序使用氣相化學過程的最重要技術之一；它可以被視為一種特殊類型的化學氣相沉積（CVD）。多數ALD反應使用兩種或更多種化學物質（稱為前驅物，...
批量式電漿輔助氣相沉積設備 參考價：面議
批量式電漿輔助氣相沉積設備為一種使用化學氣相沉積技術，可為沉積反應提供能量。與傳統(tǒng)的CVD方法相比，可在較低的溫度下沉積各種薄膜且不會降低薄膜質量。
FPD-PECVD 電漿輔助化學氣相沉積 參考價：面議
FPD-PECVD 電漿輔助化學氣相沉積：隨著LCD面板和制造所需玻璃的尺寸的增加，其制造設備也變得更大，需要越來越大的設備投資。SYSKEY針對中小尺寸的需求...
感應耦合電漿化學氣相沉積設備 參考價：面議
感應耦合電漿化學氣相沉積設備是一種使用ICP的化學氣相沉積技術，可為沉積反應提供一些能量。與PECVD方法相比，ICP-CVD可以在較低的溫度下沉積各種薄膜而不...
低真空化學氣相沉積設備 參考價：面議
低真空化學氣相沉積設備是一種化學氣相沉積技術，利用熱能在基板表面上引發(fā)前驅氣體的反應。表面的反應是形成固化材料的原因。
電漿輔助式化學氣相沉積設備 參考價：面議
電漿輔助式化學氣相沉積設備是一種使用電漿的化學氣相沉積(CVD)技術，可為沉積反應提供一些能量。與傳統(tǒng)的CVD方法相比，PECVD可以在較低的溫度下沉積各種薄膜...
化學氣相沉積 參考價：面議
化學氣相沉積為一種薄膜沉積方法，其中將基材暴露于一種或多種揮發(fā)性氣體中，在基板表面上反應或分解以生成所需的薄膜沉積物。這種方法通常用于在真空環(huán)境中制造高質量與高...
PECVD等離子沉積設備DEPOLAB 200 參考價：面議
PECVD等離子沉積設備DEPOLAB 200根據其模塊化設計，PECVD Depolab 200可升級為更大的真空泵組，低頻射頻源和更多的氣路。
帶預真空室的化學氣相沉積設備SI 500 PPD 參考價：面議
帶預真空室的化學氣相沉積設備SI 500 PPD的特色是預真空室和干泵裝置，用于無油、高產量和潔凈的化學氣相沉積過程。
等離子沉積設備SI 500 D 參考價：面議
等離子沉積設備SI 500 D低刻蝕速率，高擊穿電壓，低應力、不損傷襯底以及在低于100°C的沉積溫度下的低界面態(tài)密度，使得所沉積的薄膜具有優(yōu)異的性能...
化學氣相沉積系統(tǒng) 參考價：面議
化學氣相沉積系統(tǒng)PECVD沉積設備SI 500 PPD便于在從室溫到350℃的溫度范圍內進行SiO2、SiNx、SiOxNy和a-Si的標準的化學氣相沉積工藝。
沉積系統(tǒng) 參考價：面議
三到六個端口傳送腔室可用于集成ICP等離子刻蝕機、RIE刻蝕機、原子層沉積系統(tǒng)、PECVD和ICPECVD沉積設備，以滿足研發(fā)的要求。樣品可以通過預真空室和/或...
SENTECH二維材料刻蝕 參考價：面議
SENTECH二維材料刻蝕能夠在低溫100°C下高均勻度和高保形性地覆蓋敏感襯底和膜層，在樣品表面提供高通量的反應性氣體，而不受紫外線輻射或離子轟擊。
原子層沉積設備 參考價：面議
原子層沉積設備：真遠程等離子體源能夠在低溫100°C下高均勻度和高保形性地覆蓋敏感襯底和膜層，在樣品表面提供高通量的反應性氣體，而不受紫外線輻射或離子...
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